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　　全球半导体封装投资金额排名七2022-03-03 13:55:10  作者：国际电子商情综合

　　近日，Yole的半导体封装团队发布了年度性能封装报告，High-End Performance Packaging 2022 – Focus on 2.5D3D Integration. 这项新研究详细分析了该行业的挑战和机遇。

　　Yole专门从事封装和组装的技术和市场分析师 Stefan Chitoraga断言：“2021 年，参与者封装资本支出投资约为 116 亿美元。”

英特尔是的投资者，投资了35亿美元。它的 3D 芯片堆叠技术是 Foveros，它包括在有源硅中介层上堆叠裸片。嵌入式多裸片互连桥（EMIB）是其 2.5D 封装解决方案，采用 55 微米凸块间距。Foveros 和 EMIB 的结合产生了 Co-EMIB，用于 Ponte Vecchio GPU。英特尔计划为 Foveros Direct 采用混合键合技术。

台积电紧随其后，资本支出为 30.5 亿美元。在通过 InFO 解决方案为 UHD FO （超高密度扇出）争取更多业务的同时，台积电还在为 3D SoC 定义新的系统级路线图和技术。其 CoWoS 平台提供 RDL（重分布层）或硅中介层等解决方案，而其 LSI 平台是 EMIB 的直接竞争对手。台积电已成为封装，拥有的 FE 先进节点，使其能够主导下一代系统级封装。

ASE 拥有估计 20 亿美元的资本支出，是也是一个试图在封装领域与代工厂和 IDM 竞争的 OSAT（外包半导体组装和测试）。凭借其 FoCoS 产品，ASE 也是目前具有 UHD 扇出解决方案的 OSAT。

紧随 ASE 的是三星。三星拥有类似于 CoWoS-S 的 I-Cube 技术。三星是 3D 堆叠内存解决方案的之一，提供 HBM 和 3DS。它的 X-Cube 将使用混合键合互连。

　　《国际电子商情》留意到OSAT在财务和前端能力方面，已无法在先进封装竞赛中与英特尔、台积电和三星等大公司并驾齐驱。因此，他们是行业追随者地位。

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